CCP型プラズマエッチング装置

高精度かつ高信頼性の酸化膜微細加工を実現する平行平板型エッチング装置。超大規模集積回路（ULSI）のSiO2コンタクトホールやSiOCH, 有機系材料による低誘電率薄膜（low-k)エッチングに使用する。

特徴

プロセスガスからラジカルを選択的に生成
低電子温度、高密度プラズマが得られる60MHzパワーを上部電極に印加→イオンエネルギーを高精度に制御するため2MHzを下部電極に印加（オプション）
常に最適なエッチングプロセス条件が維持されるシーケンスプログラムを内蔵→エッチング処理毎のクリーニング処理（O₂）により、電極やチャンバー壁についたフロン系膜を除去

CCP型プラズマエッチング装置とは

超大規模集積回路（ULSI）のSiO2コンタクトホールやSiOCH,有機系材料による低誘電率薄膜（low-k）エッチングでは、平行平板プラズマ装置にフロン系ガスを導入したプラズマエッチング技術が開発され、高精度のナノ寸法加工が実現されています。プラズマエッチング装置は、多種多様なものが用いられていますが、このようなフロン系ガスを用いたシリコン系の酸素膜エッチングには、平行平板エッチング装置が世界の標準となっています。

平行平板型エッチング装置概略図

概要

外観寸法（制御系・ガス系は除く）・・・幅2,000mm×奥行き2,000mm×高さ2,000mm

1）CCP型2周波エッチング装置

プロセスチャンバー	材質寸法壁面ヒーター対応基盤サイズ到達真空度	SUS304 φ300 x H300mm 常温～100℃ φ4インチ 1枚 10^-2Pa台	一式
基盤ステージ	冷却方式仕様冷媒温度基盤保持 RFバイアス	冷媒循環及びHe -20～60℃ 静電チャック 2MHz 500W	一式
上部電極	RF電源電極使用冷媒温度	60MHz 1000W 冷却機能付きシャワーヘッド電極 20～60℃	一式
真空排気系	真空ポンプ真空計圧力制御付属	TMP（800・s）+ ドライポンプ p 電離真空計キャパシタンスマノメーターゲートバルブ高真空アングルバルブ配管等	一式
制御系	インターロック電源操作盤	有 PLC制御、タッチパネル方式	一式

2）ロードロックチャンバー

チャンバー	材質対応基盤サイズ輸送系	SUS304 φ4インチ 1枚自動搬送	一式
排気系	真空ポンプ真空計付属	TMP（50l/s）+ ロータリーポンプ電離真空計高真空アングルバルブ配管等	一式